図書

中性子転換注入法でリンをドープしたポリシラン量子材料の半導体物性

図書を表すアイコン

中性子転換注入法でリンをドープしたポリシラン量子材料の半導体物性

国立国会図書館請求記号
Y151-H06640441
国立国会図書館書誌ID
000006998421
資料種別
図書
著者
松山, 奉史, 京都大学
出版者
-
出版年
1994-1995
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

書店で探す

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
図書
タイトルよみ
チュウセイシ テンカン チュウニュウホウ デ リン オ ドープ シタ ポリシラン リョウシ ザイリョウ ノ ハンドウタイ ブッセイ
著者・編者
松山, 奉史, 京都大学
著者標目
松山, 奉史 マツヤマ, トモチカ
出版年月日等
1994-1995
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(C)
件名標目
ポリシラン量子材料 ポリシランリヨウシザイリヨウ
リンドープポリシラン リンドープポリシラン
n型ポリシラン半導体 Nガタポリシランハンドウタイ
低次元不純物半導体 テイジゲンフジユンブツハンドウタイ
中性子転換注入法 チユウセイシテンカンチユウニユウホウ
不純物分析 フジユンブツブンセキ
数平均分子量 スウヘイキンブンシリヨウ
中性子放射化分析 チユウセイシホウシヤカブンセキ