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シリコン表面における原子レベルでの動的過程

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シリコン表面における原子レベルでの動的過程

国立国会図書館請求記号
Y151-H07455022
国立国会図書館書誌ID
000007003007
資料種別
図書
著者
一宮, 彪彦, 名古屋大学
出版者
-
出版年
1995-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
シリコン ヒョウメン ニ オケル ゲンシ レベル デ ノ ドウテキ カテイ
著者・編者
一宮, 彪彦, 名古屋大学
著者標目
一宮, 彪彦 イチミヤ, アヤヒコ
出版年月日等
1995-1996
出版年(W3CDTF)
1995
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
シリコン表面 シリコンヒヨウメン
脱離・吸着 ダツリ・キユウチヤク
エピタキシヤル成長 エピタキシヤルセイチヨウ
金属吸着 キンゾクキユウチヤク
走査トンネル顕微鏡 ソウサトンネルケンビキヨウ
反射高速電子回析 ハンシヤコウソクデンシカイセキ
X線回析 Xセンカイセキ
金属・シリコン界面 キンゾク・シリコンカイメン