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SiGeデバイスの高性能化

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SiGeデバイスの高性能化

国立国会図書館請求記号
Y151-H07555105
国立国会図書館書誌ID
000007004646
資料種別
図書
著者
徳山, 順也, 熊本電波工業高等専門学校
出版者
-
出版年
1995-1997
資料形態
紙
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記：

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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紙

資料種別
図書
タイトル
SiGeデバイスの高性能化
タイトルよみ
SiGe デバイス ノ コウセイノウカ
著者・編者
徳山, 順也, 熊本電波工業高等専門学校
著者標目
徳山, 順也 トクヤマ, ジュンヤ
出版年月日等
1995-1997
出版年（W3CDTF）
1995
数量
冊
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(A)
件名標目
照射損傷 シヨウシヤソンシヨウ
SiGe SIGE
ヘテロデバイス ヘテロデバイス
電子線 デンシセン
陽子線 ヨウシセン
中性子線 チユウセイシセン
粒子線 リユウシセン
カーボン カーボン