ダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長層による耐環境電子デバイスの基礎検討

• 資料種別: 図書
• タイトル: ダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長層による耐環境電子デバイスの基礎検討
• タイトルよみ: ダイヤモンド ・ ヘテロエピタキシャル セイチョウソウ ニ ヨル タイカンキョウ デンシ デバイス ノ キソ ケントウ
• 著者・編者: 川原田洋, 早稲田大学
• 著者標目: 川原田, 洋 カワラダ, ヒロシ
• 出版年月日等: 1995-1996
• 出版年（W3CDTF）: 1995; 1996
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 一般研究(C)
• 件名標目: ダイヤモンド ダイヤモンド; ヘテロエピタキシヤル成長 ヘテロエピタキシヤルセイチヨウ; MESFET MESFET; MOSFET MOSFET; 耐環境電子デバイス タイカンキヨウデンシデバイス; 論理回路 ロンリカイロ; マイクロ波プラズマCVD マイクロハプラズマCVD; シリコンカーバイト シリコンカーバイト
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 07650384
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H07650384
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007007059; http://id.ndl.go.jp/bib/000007007059
• 整理区分コード: 214