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液相成長法によるGaN層の形成と高効率NEA素子への応用

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液相成長法によるGaN層の形成と高効率NEA素子への応用

国立国会図書館請求記号
Y151-H09650354
国立国会図書館書誌ID
000007020173
資料種別
図書
著者
助川, 徳三, 静岡大学
出版者
-
出版年
1997-1998
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
エキソウ セイチョウホウ ニ ヨル GaN ソウ ノ ケイセイ ト コウコウリツ NEA ソシ ヘ ノ オウヨウ
著者・編者
助川, 徳三, 静岡大学
著者標目
助川, 徳三 スケガワ, トクゾウ
出版年月日等
1997-1998
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
窒化ガリウム チツカガリウム
液相成長 エキソウセイチヨウ
組成変換 ソセイヘンカン
NEA NEA