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中性子照射したワイドギヤツプ型SiC半導体における光学及び電気特性の評価

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中性子照射したワイドギヤツプ型SiC半導体における光学及び電気特性の評価

国立国会図書館請求記号
Y151-H09680480
国立国会図書館書誌ID
000007022601
資料種別
図書
著者
岡田, 守民, 京都大学
出版者
-
出版年
1997-1998
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
チュウセイシ ショウシャ シタ ワイドギヤツプガタ SiC ハンドウタイ ニ オケル コウガク オヨビ デンキ トクセイ ノ ヒョウカ
著者・編者
岡田, 守民, 京都大学
著者標目
岡田, 守民 オカダ, モリタミ
出版年月日等
1997-1998
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
中性子照射効果 チユウセイシシヨウシヤコウカ
照射温度依存性 シヨウシヤオンドイゾンセイ
炭化珪素 タンカケイソ
ワイドギヤツプ半導体 ワイドギヤツプハンドウタイ
欠陥回復過程 ケツカンカイフクカテイ
照射欠陥 シヨウシヤケツカン
吸収スペクトル キユウシユウスペクトル
電気特性 デンキトクセイ