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新しい原理に基づく二光子吸収分光法によるポリジアセチレン結晶の電子励起状態の研究

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新しい原理に基づく二光子吸収分光法によるポリジアセチレン結晶の電子励起状態の研究

国立国会図書館請求記号
Y151-S61460024
国立国会図書館書誌ID
000007026739
資料種別
図書
著者
井上, 久遠, 北海道大学
出版者
-
出版年
1986-1989
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
アタラシイ ゲンリ ニ モトヅク ニ コウシ キュウシュウ ブンコウホウ ニ ヨル ポリジアセチレン ケッショウ ノ デンシレイキジョウタイ ノ ケンキュウ
著者・編者
井上, 久遠, 北海道大学
著者標目
井上, 久遠 イノウエ, クオン
出版年月日等
1986-1989
出版年(W3CDTF)
1986
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(B)
件名標目
二光子吸収 ニコウシキユウシユウ
ピコ秒ポンプ・プローブ法 ピコビヨウポンプ・プローブホウ
ポリジアセチレン結晶 ポリジアセチレンケツシヨウ
非線形レーザー分光 ヒセンケイレーザーブンコウ
擬一次元電子系 ギ1ジゲンデンシケイ