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光CVD法によるSiの低温エピタキシャル成長法の開発

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光CVD法によるSiの低温エピタキシャル成長法の開発

国立国会図書館請求記号
Y151-S62850053
国立国会図書館書誌ID
000007032921
資料種別
図書
著者
小長井誠, 東京工業大学
出版者
-
出版年
1987-1988
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ヒカリ CVD ホウ ニ ヨル Si ノ テイオン エピタキシャル セイチョウホウ ノ カイハツ
著者・編者
小長井誠, 東京工業大学
著者標目
著者 : 小長井, 誠, 1949- コナガイ, マコト, 1949- ( 00116569 )典拠
出版年月日等
1987-1988
出版年(W3CDTF)
1987
1988
数量
その他のタイトル
研究種目 奨励研究(B)
件名標目
光CVD法 ヒカリCVDホウ
低温エピタキシヤル成長 テイオンエピタキシヤルセイチヨウ
歪超格子 ヒズミチヨウコウシ
Si SI
SiGe SIGE
超高濃度ドーピング チヨウコウノウドドーピング