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Effective Electron Correlation Energy in Amorohous Ge-S:Effects of Transition Metal Additives on Electronic Properties in Amorphous GeSeTe Films : カルコゲナイド系アモルフアス半導体の物性定数とその組成制御

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Effective Electron Correlation Energy in Amorohous Ge-S:Effects of Transition Metal Additives on Electronic Properties in Amorphous GeSeTe Films : カルコゲナイド系アモルフアス半導体の物性定数とその組成制御

国立国会図書館請求記号
Y151-TT001-007
国立国会図書館書誌ID
000007046533
資料種別
図書
著者
清水, 立生, 金沢大学
出版者
-
出版年
1980-1982
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書"Journal of the Physical Society of Japan"vol.51, no.8: "Japanese Journal of Applied Physics"vol.22, no.4

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
Effective Electron Correlation Energy in Amorohous Ge-S:Effects of Transition Metal Additives on Electronic Properties in Amorphous GeSeTe Films
著者・編者
清水, 立生, 金沢大学
著者標目
清水, 立生 シミズ, タツオ
出版年月日等
1980-1982
1983.8
出版年(W3CDTF)
1980
数量
その他のタイトル
研究種目 特定研究
研究領域名 アモルフアス材料物性(アモルフアス)
NDLC