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強誘電体の薄膜化により顕著に生じる特性とその強誘電体薄膜メモリに及ぼす影響の研究

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強誘電体の薄膜化により顕著に生じる特性とその強誘電体薄膜メモリに及ぼす影響の研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H10450120
国立国会図書館書誌ID
000007058791
資料種別
図書
著者
塩嵜忠, 奈良先端科学技術大学院大学
出版者
-
出版年
1998-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
キョウ ユウデンタイ ノ ハクマクカ ニ ヨリ ケンチョ ニ ショウジル トクセイ ト ソノ キョウ ユウデンタイ ハクマク メモリ ニ オヨボス エイキョウ ノ ケンキュウ
著者・編者
塩嵜忠, 奈良先端科学技術大学院大学
著者標目
著者 : 塩崎, 忠, 1944- シオサキ, タダシ, 1944- ( 00145880 )典拠
出版年月日等
1998-1999
出版年(W3CDTF)
1998
1999
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
強誘電体不揮発性メモリー キヨウユウデンタイフキハツセイメモリー
Pb (Zr, Ti) O3 PB (ZR, TI) O3
分極反転疲労 ブンキヨクハンテンヒロウ
インプリント インプリント
空間電荷 クウカンデンカ
マイクロクラツク マイクロクラツク