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新窒素ソースを用いる有機金属気相成長法での精密制御InGaN積層成長と反応機構の解明

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新窒素ソースを用いる有機金属気相成長法での精密制御InGaN積層成長と反応機構の解明

国立国会図書館請求記号
Y151-H10650022
国立国会図書館書誌ID
000007060257
資料種別
図書
著者
石井, 恂, 金沢工業大学
出版者
-
出版年
1998-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
シン チッソ ソース オ モチイル ユウキ キンゾク キソウ セイチョウホウ デ ノ セイミツ セイギョ InGaN セキソウ セイチョウ ト ハンノウ キコウ ノ カイメイ
著者・編者
石井, 恂, 金沢工業大学
著者標目
石井, 恂 イシイ, マコト
出版年月日等
1998-1999
出版年(W3CDTF)
1998
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
有機金属気相成長 ユウキキンゾクキソウセイチヨウ
モノメチルヒドラジン モノメチルヒドラジン
トリメチルガリウム トリメチルガリウム
四重極質量分析計 4ジユウキヨクシツリヨウブンセキケイ
X線回折 Xセンカイセツ
トリメチルインジウム トリメチルインジウム