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層状酸化物超薄膜のリチウム挿入脱離特性と半導体物性に対する膜厚の効果

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層状酸化物超薄膜のリチウム挿入脱離特性と半導体物性に対する膜厚の効果

国立国会図書館請求記号
Y151-H10650803
国立国会図書館書誌ID
000007060762
資料種別
図書
著者
仁科, 辰夫, 山形大学
出版者
-
出版年
1998-1999
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ソウジョウ サンカブツ チョウハクマク ノ リチウム ソウニュウ ダツリ トクセイ ト ハンドウタイ ブッセイ ニ タイスル マクアツ ノ コウカ
著者・編者
仁科, 辰夫, 山形大学
著者標目
仁科, 辰夫 ニシナ, タツオ
出版年月日等
1998-1999
出版年(W3CDTF)
1998
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
層状酸化物 ソウジヨウサンカブツ
リチウム電池 リチウムデンチ
二次電池 2ジデンチ
光応答 ヒカリオウトウ
光電気化学 ヒカリデンキカガク
光充電 ヒカリジユウデン
インターカレーシヨン インターカレーシヨン
異種接触界面 イシユセツシヨクカイメン