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強誘電体薄膜のグレインバウンダリが電気特性に及ぼす影響の解明とメモリ素子への応用

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強誘電体薄膜のグレインバウンダリが電気特性に及ぼす影響の解明とメモリ素子への応用

国立国会図書館請求記号
Y151-H12450131
国立国会図書館書誌ID
000007081811
資料種別
図書
著者
清水, 勝, 姫路工業大学
出版者
-
出版年
2000-2001
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
キョウ ユウデンタイ ハクマク ノ グレインバウンダリ ガ デンキ トクセイ ニ オヨボス エイキョウ ノ カイメイ ト メモリ ソシ ヘ ノ オウヨウ
著者・編者
清水, 勝, 姫路工業大学
著者標目
清水, 勝 シミズ, マサル
出版年月日等
2000-2001
出版年(W3CDTF)
2000
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
強誘電体PZT薄膜 キヨウユウデンタイPZTハクマク
グレインサイズの制御 グレインサイズノセイギヨ
グレインバウンダリ グレインバウンダリ
PbTiO3初期核 PBTIO3シヨキカク
初期成長過程 シヨキセイチヨウカテイ
二段階成長法 2ダンカイセイチヨウホウ
エピタキシヤル単結晶PZT薄膜 エピタキシヤルタンケツシヨウPZTハクマク
原子層ステツプ ゲンシソウステツプ