Si上無転位GaAs成長層を基板とした面発光レ-ザ-の試作

• 資料種別: 図書
• タイトル: Si上無転位GaAs成長層を基板とした面発光レ-ザ-の試作
• タイトルよみ: Si ジョウ ムテンイ GaAs セイチョウソウ オ キバン ト シタ メン ハッコウ レ-ザ- ノ シサク
• 著者・編者: 成塚, 重弥;西永, 頌, 名城大学
• 著者標目: 成塚, 重弥 ナリツカ, シゲヤ; 西永, 頌 ニシナガ, タタウ
• 出版年月日等: 2000-2002
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 件名標目: Si基板上のGaAsエピタキシ SIキバンジヨウノGAASエピタキシ; 面発光レ-ザ-ダイオ-ド メンハツコウレ-ザ-ダイオ-ド; マイクロチヤンネルエピタキシ マイクロチヤンネルエピタキシ; 横方向成長 ヨコホウコウセイチヨウ; 分子線エピタキシ ブンシセンエピタキシ; AlGaAs高純度化 ALGAASコウジユンドカ; 屈折率導波構造 クツセツリツドウハコウゾウ; 光・電子集積回路 ヒカリ・デンシシユウセキカイロ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 12555096
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H12555096
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007085178; http://id.ndl.go.jp/bib/000007085178
• 整理区分コード: 214