揺らぎを排した量子スケールMOSFETにおける物理現象の探究と集積化応用の研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: 揺らぎを排した量子スケールMOSFETにおける物理現象の探究と集積化応用の研究
• タイトルよみ: ユラギ オ ハイシタ リョウシ スケール MOSFET ニ オケル ブツリ ゲンショウ ノ タンキュウ ト シュウセキカ オウヨウ ノ ケンキュウ
• 著者・編者: 平本俊郎, 東京大学 [著]
• 著者標目: 平本, 俊郎 ヒラモト, トシロウ; 東京大学 トウキョウ ダイガク
• 出版事項: [平本俊郎]
• 出版年月日等: 2001-2003; 2004.5
• 出版年（W3CDTF）: 2001; 2003
• 数量: 73p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: 半導体 / シリコンMOSFET / 不揮発性メモリ / 量子効果 / しきい値電圧 / ナノテクノロジー / 保持時間 / 量子ドット ハンドウタイ / シリコン MOSFET / フキハツセイ メモリ / リョウシ コウカ / シキイチ デンアツ / ナノテクノロジー / ホモチジカン / リョウシ ドット
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 13450135
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H13450135
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007588355; http://id.ndl.go.jp/bib/000007588355
• 整理区分コード: 214