GaN結晶薄膜の成長過程とInGaN系量子井戸構造の高品質化に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: GaN結晶薄膜の成長過程とInGaN系量子井戸構造の高品質化に関する研究
• タイトルよみ: GaN ケッショウ ハクマク ノ セイチョウ カテイ ト InGaNケイ リョウシ イド コウゾウ ノ コウヒンシツカ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 内田憲治 [著]
• 著者標目: 内田, 憲治 ウチダ, ケンジ
• 出版事項: [内田憲治]
• 出版年月日等: [2003]
• 出版年（W3CDTF）: 2003
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 平成15年1月31日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2003
• 報告番号: 乙第3640号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2004-R659
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007649303; http://id.ndl.go.jp/bib/000007649303
• 整理区分コード: 213