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飽和溶融帯移動法による均一組成SiGeバルク結晶成長

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飽和溶融帯移動法による均一組成SiGeバルク結晶成長

国立国会図書館請求記号
Y151-H15560015
国立国会図書館書誌ID
000007965377
資料種別
図書
著者
足立聡, 宇宙航空研究開発機構 [著]
出版者
[足立聡]
出版年
2003-2004
資料形態
ページ数・大きさ等
1冊
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ホウワ ヨウユウタイ イドウホウ ニ ヨル キンイツ ソセイ SiGe バルク ケッショウ セイチョウ
著者・編者
足立聡, 宇宙航空研究開発機構 [著]
著者標目
足立, 聡 アダチ, サトシ
宇宙航空研究開発機構 ウチュウ コウクウ ケンキュウ カイハツ キコウ
出版事項
出版年月日等
2003-2004
2005.3
出版年(W3CDTF)
2003
2004
数量
1冊
並列タイトル等
Homogeneous growth of SiGe bulk crystals by using the traveling liquidus-zone method