ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法による酸化亜鉛系半導体薄膜の成長機構

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法による酸化亜鉛系半導体薄膜の成長機構
• タイトルよみ: ヘリコンハ レイキ プラズマ スパッタ エピタキシーホウ ニ ヨル サンカ アエンケイ ハンドウタイ ハクマク ノ セイチョウ キコウ
• 著者・編者: 小山享宏 [著]
• 著者標目: 小山, 享宏 コヤマ, タカヒロ
• 出版事項: [小山享宏]
• 出版年月日等: 2005
• 出版年（W3CDTF）: 2005
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 筑波大学
• 授与年月日: 平成17年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2005
• 報告番号: 甲第3663号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2005-L408
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007986129; http://id.ndl.go.jp/bib/000007986129
• 整理区分コード: 213