極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 : 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 : 第9回研究会

• 資料種別: 図書
• タイトル: 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 : 薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告 : 第9回研究会
• タイトルよみ: ゴクウス シリコン サンカマク ノ ケイセイ ヒョウカ シンライセイ : ハクマク ヒョウメン ブツリ ブンカカイ シリコン テクノロジー ブンカカイ キョウサイ トクベツ ケンキュウカイ ケンキュウ ホウコク : ダイ 9カイ ケンキュウカイ
• 著者・編者: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 編
• シリーズタイトル: AP ; 042202
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: [東京] : 応用物理学会薄膜・表面物理分科会
• 出版年月日等: 2004.1
• 出版年（W3CDTF）: 2004
• 数量: 361p
• 大きさ: 26cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコン (半導体)--論文集 シリコン (ハンドウタイ) ロンブンシュウ ( 01030374 )典拠; 薄膜--論文集 ハクマク ロンブンシュウ ( 00810447 )典拠
• NDC9版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 会期・会場: 2004年1月23-24日 熱川ハイツ; 共同刊行: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-H112
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008059812; http://id.ndl.go.jp/bib/000008059812
• 全国書誌番号: 20970401
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

• 内容細目: Progress and challenges in High-k gate dielectrics technology / T.P.Ma 著極薄シリコン酸化膜の信頼性劣化のメカニズム / 谷口研二 ほか著イオン性アモルファス酸化物導電体 / 細野秀雄 著...