減圧CVD法による高品質3C-SiCエピタキシャル膜の作製及びそのデバイスへの応用に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 減圧CVD法による高品質3C-SiCエピタキシャル膜の作製及びそのデバイスへの応用に関する研究
• タイトルよみ: ゲンアツ CVDホウ ニ ヨル コウヒンシツ 3C-SiC エピタキシャルマク ノ サクセイ オヨビ ソノ デバイス エノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 石田夕起 [著]
• 著者標目: 石田, 夕起 イシダ, ユウキ
• 出版事項: [石田夕起]
• 出版年月日等: 2005
• 出版年（W3CDTF）: 2005
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 埼玉大学
• 授与年月日: 平成17年9月16日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2005
• 報告番号: 乙第139号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2006-B496
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008132698; http://id.ndl.go.jp/bib/000008132698
• 整理区分コード: 213