多層pn接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: 多層pn接合の多次元空乏化を利用した金属接点級SiCパワーデバイスの基礎研究
• タイトルよみ: タソウ pn セツゴウ ノ タジゲン クウボウカ オ リヨウシタ キンゾク セッテンキュウ SiC パワー デバイス ノ キソ ケンキュウ
• 著者・編者: 木本恒暢, 京都大学 [著]
• 著者標目: 木本, 恒暢 キモト, ツネノブ ( 01175227 )典拠; 京都大学 キョウト ダイガク ( 00289990 )典拠
• 出版事項: [木本恒暢]
• 出版年月日等: 2004-2005; 2006.3
• 出版年（W3CDTF）: 2004; 2005
• 数量: 7, 139p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコンカーバイド / パワーデバイス / MOSFET / pn接合 / 電界集中緩和 / デバイスシミュレーション シリコンカーバイド / パワーデバイス / MOSFET / pn セツゴウ / デンカイ シュウチュウ カンワ / デバイスシミュレーション
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 16360153
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H16360153
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008338330; http://id.ndl.go.jp/bib/000008338330
• 整理区分コード: 214