Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs) : growth of homogeneous crystals

• 資料種別: 図書
• ISSN（シリーズ）: 1349-113X
• タイトル: Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs) : growth of homogeneous crystals
• シリーズタイトル: JAXA special publication ; JAXA-SP-05-36E
• シリーズ著者・編者: edited by: Japan Aerospace Exploration Agency
• 著者標目: 宇宙航空研究開発機構 ウチュウ コウクウ ケンキュウ カイハツ キコウ ( 00943589 )典拠
• 出版事項: Chofu : Japan Aerospace Exploration Agency
• 出版年月日等: 2006.3
• 出版年（W3CDTF）: 2006
• 数量: 32 p.
• 大きさ: 30 cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: NC19
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: Includes bibliographical references
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: NC19-B20
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008480135; http://id.ndl.go.jp/bib/000008480135
• 全国書誌番号: 21206605
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 113

• 内容細目: Growth of In0.1Ga0.9As single crystal plates and fabrication of InxGa1-xAs/In0.1Ga0.9As-strained quantum wells (SQW) / by Tetsuya Tsuru et alScaling u...

目次

Contents

Preface

Growth of In0.1Ga0.9As Single Crystal Plates and Fabrication of InxGa1-xAs／In0.1Ga0.9As-Strained Quantum Wells (SQW)/ 1

Scaling up of TLZ-grown platy In0.3Ga0.7As crystals for semiconductor laser substrates/ 7

Investigation on polycrystallization mechanism at initial interfaces in InxGa1-xAs (x〜0.3) bulk crystals on lattice mismatched seeds/ 13