化合物半導体の最新技術大全集

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-86104-144-0
• タイトル: 化合物半導体の最新技術大全集
• タイトルよみ: カゴウブツ ハンドウタイ ノ サイシン ギジュツ ダイゼンシュウ
• 著者・編者: 越路恵一 企画編集
• 著者標目: 越路, 恵一 コシジ, ケイイチ ( 01089290 )典拠
• 出版事項: 東京 : 技術情報協会
• 出版年月日等: 2007.4
• 出版年（W3CDTF）: 2007
• 数量: 497p 図版13枚
• 大きさ: 27cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 化合物半導体 カゴウブツハンドウタイ ( 01090516 )典拠
• NDC9版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• NDC（参考図書紹介）: 549.8
• 紹介文（参考図書紹介）: かつて化合物半導体はGaP,GaAsを意味していたが、ここ数年は窒化物半導体を指すようになってきている。本書は化合物半導体の最新技術動向、発光素子用基板の大口径化と加工、iii-V族化合物半導体の技術動向、ii-Vi族化合物半導体の技術動向、白色発光ダイオードの関連技術、発光素子の応用技術、化合物半導体のプラズマエッチング技術、アジアのLED市場の8章で構成され、図表を用いて化合物の基本的な性質やその応用技術と製品の開発までを述べている。特に8章では白色LED市場で台頭してきた韓国、台湾に焦点を当て特許、意匠権、そのほかの知的財産権に関する紛争を取上げている。巻頭には主要なカラーデータ、巻末には数字、アルファベット、50音順の索引を付す。
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 文献あり
• 入手条件・定価: 88200円 (税込)
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-H166
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008533963; http://id.ndl.go.jp/bib/000008533963
• 全国書誌番号: 21237823
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

目次

目次

第1章 化合物半導体の最新技術動向

第1節 化合物半導体のバルクおよびエピタキシャル成長/ 3

1. シリコン上GaAsとサファイア上GaNの比較/ 3

2. GaNのバルク結晶/ 4