Siのエピタキシャル気相成長 : 付、その解析法の化合物半導体への応用

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Siのエピタキシャル気相成長 : 付、その解析法の化合物半導体への応用
• タイトルよみ: Si ノ エピタキシャル キソウ セイチョウ : フ ソノ カイセキホウ ノ カゴウブツ ハンドウタイ エ ノ オウヨウ
• 著者・編者: 春日正伸 [著]
• 著者標目: 春日, 正伸 カスガ, マサノブ
• 数量: 冊
• 授与機関名: 名古屋大学
• 授与年月日: 昭和46年3月8日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1971
• 報告番号: 甲第595号
• 学位: 工学博士
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-50-B20
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000008548616; http://id.ndl.go.jp/bib/000008548616
• 整理区分コード: 213