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目次
54(6) 2011.6
- 小特集 パワー半導体結晶成長
p.335~397
- 大口径SiC単結晶基板の開発動向 (小特集 パワー半導体結晶成長)
p.339~345
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書誌情報
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- 資料種別
- 雑誌
- ISSN
- 1882-2398
- ISSN-L
- 1882-2398
- タイトルよみ
- Journal of the Vacuum Society of Japan
- 巻次・部編番号
- 54(6) 2011.6
- 出版事項
- 出版事項(最新)
- 出版年月日等
- 2011