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ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

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ハレクシスCBED法を用いた鉄シリサイド半導体薄膜の結晶性評価

国立国会図書館請求記号
Y151-H16360315
国立国会図書館書誌ID
000009285949
資料種別
図書
著者
板倉賢, 九州大学 [著]
出版者
[板倉賢]
出版年
2004-2006
資料形態
ページ数・大きさ等
64p
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ハレクシス CBEDホウ オ モチイタ テツ シリサイド ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウセイ ヒョウカ
著者・編者
板倉賢, 九州大学 [著]
著者標目
板倉, 賢 イタクラ, マサル
九州大学 キュウシュウ ダイガク
出版事項
出版年月日等
2004-2006
[2007]
出版年(W3CDTF)
2004
2006
数量
64p
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)