ゾルゲル法により生成したアモルファス薄膜への外部磁界印加による結晶配向性の制御

• 資料種別: 図書
• タイトル: ゾルゲル法により生成したアモルファス薄膜への外部磁界印加による結晶配向性の制御
• タイトルよみ: ゾル ゲルホウ ニ ヨリ セイセイシタ アモルファス ハクマク エ ノ ガイブ ジカイ インカ ニ ヨル ケッショウ ハイコウセイ ノ セイギョ
• 著者・編者: 木村秀夫, 物質・材料研究機構 [著]
• 著者標目: 木村, 秀夫 キムラ, ヒデオ; 物質材料研究機構 ブッシツ ザイリョウ ケンキュウ キコウ
• 出版事項: [木村秀夫]
• 出版年月日等: 2005-2006; 2007.3
• 出版年（W3CDTF）: 2005; 2006
• 数量: 50p
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(C)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn; eng
• 件名標目: ゾルゲル法 / 結晶化 / 配向制御 / 層状化合物 / 強誘電体 / 強磁界 / 薄膜 ゾルゲルホウ / ケッショウカ / ハイコウ セイギョ / ソウジョウ カゴウブツ / キョウ ユウデンタイ / キョウジカイ / ハクマク
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 17560017
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H17560017
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000009316627; http://id.ndl.go.jp/bib/000009316627
• 整理区分コード: 214