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目次
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第1章 パワーデバイスのプロセス技術と低損失化技術
第1節 SiC・GaNパワーデバイスへの期待と解決すべき課題/ 3
はじめに/ 3
1. SiC・GaNデバイスの特徴と課題/ 4
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書誌情報
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- 資料種別
- 図書
- ISBN
- 978-4-86104-311-6
- タイトルよみ
- SiC GaN パワー デバイス ノ セイゾウ プロセス ト ホウネツ レイキャク ギジュツ
- 著者・編者
- 春日務 企画編集
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2010.2
- 出版年(W3CDTF)
- 2010
- 数量
- 340p