First-principle calculation for the surface reaction processes of 3-nitride semiconductors

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: First-principle calculation for the surface reaction processes of 3-nitride semiconductors
• 著者・編者: Hikari Suzuki [著]
• 著者標目: 鈴木, ひかり スズキ, ヒカリ
• 出版事項: [Hikari Suzuki]
• 出版年月日等: [2010]
• 出版年（W3CDTF）: 2010
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: 第一原理計算による3族窒化物半導体の表面反応過程の解析 ダイイチ ゲンリ ケイサン ニ ヨル 3ゾク チッカブツ ハンドウタイ ノ ヒョウメン ハンノウ カテイ ノ カイセキ
• 授与機関名: 東京農工大学
• 授与年月日: 平成22年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2010
• 報告番号: 甲第675号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2010-H609
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011005276; http://id.ndl.go.jp/bib/000011005276
• 整理区分コード: 213