Low temperature MOVPE growth of AlN/GaN MQWs by pulse injection method for realization of intersubband transition at 1.55μm

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Low temperature MOVPE growth of AlN/GaN MQWs by pulse injection method for realization of intersubband transition at 1.55μm
• 著者・編者: 梁正承 [著]
• 著者標目: 梁, 正承 ヤン, ジョンスン
• 出版事項: [梁正承]
• 出版年月日等: [2010]
• 出版年（W3CDTF）: 2010
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: 1.55μmでのサブバンド間遷移の実現を目指したパルスインジェクション方式によるAlN/GaN多重量子井戸の低温MOVPE成長 1.55マイクロm デ ノ サブバンドカン センイ ノ ジツゲン オ メザシタ パルス インジェクション ホウシキ ニ ヨル AlN
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成22年3月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2010
• 報告番号: 甲第25749号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 著者別名: Yang, Jung-Seung
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2010-P54
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011110933; http://id.ndl.go.jp/bib/000011110933
• 整理区分コード: 213