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グリーン・エレクトロニクス no. 9 (ワイドギャップ半導体の研究) (トランジスタ技術special増刊)

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グリーン・エレクトロニクス. no. 9 (ワイドギャップ半導体の研究)

(トランジスタ技術special増刊)

国立国会図書館請求記号
ND21-J36
国立国会図書館書誌ID
023832022
資料種別
図書
著者
トランジスタ技術special編集部 編
出版者
CQ出版
出版年
2012.8
資料形態
ページ数・大きさ等
127p ; 26cm
NDC
541
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資料詳細

要約等:

半導体デバイスの動作原理を説明し,ワイド・バンド・ギャップ半導体デバイスによる優れたパワー・デバイスの実現を説明します.(提供元: 出版情報登録センター(JPRO))

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目次

  • ★目次

  • ○プロローグ パワー・エレクトロニクス用半導体デバイスの重要性

  • ■ コラム 次世代DVD実現のキー・デバイス…GaN紫色半導体レーザ・ダイオード

  • ◎スイッチング素子としての応用面から見た

  • ○第1章 パワー・エレクトロニクス用半導体の性能指標

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書誌情報

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資料種別
図書
ISBN
978-4-7898-4839-8
タイトルよみ
グリーン ・ エレクトロニクス
巻次・部編番号
no. 9 (ワイドギャップ半導体の研究)
著者・編者
トランジスタ技術special編集部 編
著者標目
CQ出版株式会社 CQ シュッパン カブシキ ガイシャ ( 00389668 )典拠
出版事項
出版年月日等
2012.8