Electrical characterization of strained and unstrained Si MOS interfaces and impact of interface defects on the device properties

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Electrical characterization of strained and unstrained Si MOS interfaces and impact of interface defects on the device properties
• 著者・編者: 蔡偉立 [著]
• 著者標目: 蔡, 偉立 サイ, イリツ
• 出版事項: [蔡偉立]
• 出版年月日等: [2015]
• 出版年（W3CDTF）: 2015
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: ひずみSiおよびひずみのないSi MOS界面の電気的評価と界面欠陥が素子特性に与える影響 ヒズミ Si オヨビ ヒズミ ノ ナイ Si MOS カイメン ノ デンキテキ ヒョウカ ト カイメン ケッカン ガ ソシ トクセイ ニ アタエル エイキョウ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成27年3月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2015
• 報告番号: 甲第31484号
• 学位: 博士(工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 著者別名: Cai, Wei-Li
• NDLC: UT51
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2015-C706
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027269955; http://id.ndl.go.jp/bib/027269955
• 整理区分コード: 213