Carrier transport in nanoscale MOS transistors

• 資料種別: 図書
• ISBN: 9781118871669 hbk.; 1118871669 hbk.
• タイトル: Carrier transport in nanoscale MOS transistors
• 著者・編者: Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura.
• 著者標目: 土屋, 英昭 ツチヤ, ヒデアキ ( 01109066 )典拠; 鎌倉, 良成 カマクラ, ヨシナリ ( 01144940 )典拠
• 出版事項: Singapore : Wiley (出版)
• 出版年月日等: [2016]
• 出版年（W3CDTF）: 2016
• 数量: x, 249 pages
• 形態の詳細: illustrations
• 大きさ: 26 cm
• 出版地（国名コード）: SG
• 本文の言語コード: eng
• 表現種別: text
• 機器種別: unmediated
• キャリア種別: volume
• 件名標目: Metal oxide semiconductor field-effect transistors.; Carrier waves--Mathematical models.
• NDLC: ND351
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: Includes bibliographical references and index.
• コレクション（個別）: 日本関係外国語図書
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND351-B79
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 027275173; http://id.ndl.go.jp/bib/027275173
• OCLC番号: 967219573; https://www.worldcat.org/oclc/967219573
• 目録規則: RDA
• 整理区分コード: 211

• 内容細目: Emerging technologiesFirst-principles calculations for Si nanostructuresquasi-ballistic transport in Si nanoscale MOSFETs...
• 要約等: Comprehensive examination of the transport theory of nanoscale devices, this book combines advances with a conventional theoretical framework that inc...