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セシウムスパッターイオン源を利用した電子付着によるC₆₀負イオン生成技術の開発 (JAEA-technology ; 2016-34) (QST-R ; 1)

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セシウムスパッターイオン源を利用した電子付着によるC₆₀負イオン生成技術の開発

(JAEA-technology ; 2016-34) (QST-R ; 1)

国立国会図書館請求記号
Y251-L1657
国立国会図書館書誌ID
028027174
資料種別
図書
著者
薄井絢, 千葉敦也, 山田圭介 [著]ほか
出版者
量子科学技術研究開発機構量子ビーム科学研究部門高崎量子応用研究所
出版年
2017.3
資料形態
ページ数・大きさ等
21p ; 30cm
NDC
-
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資料種別
図書
タイトルよみ
セシウム スパッター イオン ゲン オ リヨウシタ デンシ フチャク ニ ヨル C₆₀ フイオン セイセイ ギジュツ ノ カイハツ
著者・編者
薄井絢, 千葉敦也, 山田圭介 [著]
量子科学技術研究開発機構量子ビーム科学研究部門高崎量子応用研究所 編
シリーズタイトル
出版年月日等
2017.3
出版年(W3CDTF)
2017
数量
21p
大きさ
30cm