Silicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 international conference on silicon carbide and related materials (ICSCRM 2017), September 17-22, 2017, Washington, DC, USA : ICSCRM meeting : Sep 2017, Washington, DC.

• 資料種別: 図書
• ISBN: 9783035711455
• ISSN（シリーズ）: 0255-5476
• タイトル: Silicon carbide and related materials 2017 : ICSCRM 2017 : selected, peer reviewed papers from the 2017 international conference on silicon carbide and related materials (ICSCRM 2017), September 17-22, 2017, Washington, DC, USA : ICSCRM meeting : Sep 2017, Washington, DC.
• シリーズタイトル: Materials Science Forum ; 924
• タイトル標目: Materials science forum ; v. 924.
• 著者標目: International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (2017 : Washington, D.C.); Stahlbush, Robert.
• 出版事項: Zurich, Switzerland : Trans Tech Publications Ltd
• 出版年月日等: [2018]
• 出版年（W3CDTF）: 2018
• 数量: xxvi, 1016 pages
• 形態の詳細: illustrations
• 大きさ: 25 cm.
• 並列タイトル等: ICSCRM 2017 : moving from niche to mainstream
• 出版地（国名コード）: CH
• 本文の言語コード: eng
• ジャンル・形式用語: Conference papers and proceedings.
• 表現種別: text
• 機器種別: unmediated
• キャリア種別: volume
• 件名標目: Silicon carbide--Congresses.; Silicon carbide--Electric properties--Congresses.; Silicon-carbide thin films--Congresses.; Nitrides--Congresses.; Graphene--Congresses.; Crystal growth--Congresses.; Wide gap semiconductors--Materials--Congresses.; Wide gap semiconductors--Materials--Technological innovations--Congresses.; TECHNOLOGY & ENGINEERING--Engineering (General); TECHNOLOGY & ENGINEERING--Reference.; Crystal growth.; Graphene.; Nitrides.; Silicon carbide.; Silicon carbide--Electric properties.; Silicon-carbide thin films.
• LCC: TK7871.15.S56
• DDC: 620.1/93
• NDLC: M17
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: Selected papers.
• 書誌注記: Includes bibliographical references and indexes.
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: M17-19-1605
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029208016; http://id.ndl.go.jp/bib/029208016
• 目録規則: RDA
• 整理区分コード: 215