GaNパワーデバイス

• 資料種別: 図書
• タイトル: GaNパワーデバイス
• タイトルよみ: GaN パワー デバイス
• シリーズタイトル: TRC R & D library
• 出版事項: 東京 : 東レリサーチセンター調査研究部
• 出版年月日等: 2015.2
• 出版年（W3CDTF）: 2015
• 数量: 291p
• 大きさ: 30cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: パワーデバイス パワー デバイス ( 001273066 )典拠
• NDC10版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 文献あり
• 入手条件・定価: 72000円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-M1
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 029356642; http://id.ndl.go.jp/bib/029356642
• 全国書誌番号: 23151502
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

目次

目次

第1章 GaNパワーデバイスの概要/ 1

1.1 GaNパワーデバイスへの期待/ 1

1.2 GaNパワーデバイスとは/ 3

1.2.1 GaN半導体の役割/ 3