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次世代半導体素材GaNの挑戦 : 22世紀の世界を先導する日本の科学技術 (講談社+α新書 ; 825-1C)

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次世代半導体素材GaNの挑戦 : 22世紀の世界を先導する日本の科学技術

(講談社+α新書 ; 825-1C)

国立国会図書館請求記号
M42-M44
国立国会図書館書誌ID
030348157
資料種別
図書
著者
天野浩 [著]
出版者
講談社
出版年
2020.4
資料形態
ページ数・大きさ等
183p ; 18cm
NDC
502.1
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資料詳細

要約等:

次世代半導体の材料・窒化ガリウムは巨大な産業に成長する。この分野でノーベル賞を受賞した著者が示す日本の「産学」の底力(提供元: 出版情報登録センター(JPRO))

著者紹介:

天野 浩 天野浩(あまの・ひろし) 1960年、静岡県に生まれる。工学博士。名古屋大学教授。名古屋大学工学部電子工学科を卒業後、同大学大学院工学研究科博士後期課程単位取得満期退学。名城大学理工学部教授などを経て、2010年、名古屋大学大学院工学研究科教授。2011年、同大学赤﨑記念研究センター長を兼...

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目次

  • 第1章 青色発光ダイオードが教えてくれた真実

  • 第2章 次世代半導体で世界をリードするために

  • 第3章 日本の研究力はまだ強い

  • 第4章 世界をリードする産学協同研究所を

  • 第5章 GaNが創る未来のかたち

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書誌情報

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資料種別
図書
ISBN
978-4-06-513630-0
タイトルよみ
ジセダイ ハンドウタイ ソザイ ガン ノ チョウセン : ニジュウニセイキ ノ セカイ オ センドウ スル ニホン ノ カガク ギジュツ
著者・編者
天野浩 [著]
シリーズタイトル
著者標目
天野, 浩, 1960- アマノ, ヒロシ, 1960- ( 01180889 )典拠
出版事項
出版年月日等
2020.4
出版年(W3CDTF)
2020