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(次々世代・周辺技術領域領域、テーマ名: GaN PSJ-HEMT/SiCハイブリッドデバイスの開発) 成果報告書 : 文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業 : 令和3年度

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(次々世代・周辺技術領域領域、テーマ名: GaN PSJ-HEMT/SiCハイブリッドデバイスの開発) 成果報告書 : 文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業 : 令和3年度

国立国会図書館請求記号
YH233-R500
国立国会図書館書誌ID
033444345
資料種別
電子資料
著者
-
出版者
産業技術総合研究所
出版年
2022.5
資料形態
記録メディア
ページ数・大きさ等
CD-ROM 1枚 ; 12 cm
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部科学省の科学技術試験研究委託事業による委託業務

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書誌情報

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記録メディア

資料種別
電子資料
タイトルよみ
(ジジ セダイ ・ シュウヘン ギジュツ リョウイキ リョウイキ 、 テーマメイ: GaN PSJ-HEMT/SiC ハイブリッド デバイス ノ カイハツ) セイカ ホウコクショ : モンブ カガクショウ カクシンテキ パワー エレクトロニクス ソウシュツ キバン ギジュツ ケンキュウ カイハツ ジギョウ : レイワ 3ネンド
出版年月日等
2022.5
出版年(W3CDTF)
2022
数量
CD-ROM 1枚
大きさ
12 cm
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn