タウア・ニン最新VLSIの基礎

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-621-31026-7
• タイトル: タウア・ニン最新VLSIの基礎
• タイトルよみ: タウア ニン サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ
• 著者・編者: Yuan Taur, Tak H.Ning [原著]; 宮本恭幸, 内田建 監訳; 竹内潔, 寺内衛 訳
• 版: 第3版
• 著者標目: 著者 ： Taur, Yuan; 著者 ： Ning, Tak H; 訳者 ： 宮本, 恭幸; 訳者 ： 内田, 建; 訳者 ： 竹内, 潔; 訳者 ： 寺内, 衛
• 出版事項: 東京 : 丸善出版 (出版)
• 出版年月日等: 2024.10
• 出版年（W3CDTF）: 2024
• 数量: 609p
• 大きさ: 21cm
• その他のタイトル: Fundamentals of Modern VLSI Devices
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 原文の言語コード: eng
• 表現種別: テキスト
• 機器種別: 機器不用
• キャリア種別: 冊子
• 件名標目: 大規模集積回路
• NDC10版: 549.7 : 電子工学
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 原タイトル: Fundamentals of Modern VLSI Devices 原著第3版の抄訳
• 書誌注記: 文献あり 索引あり
• 入手条件・定価: 17000円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 033758905; http://id.ndl.go.jp/bib/033758905
• トーハンMARC番号: 34669576
• 目録規則: 日本目録規則2018年版
• 整理区分コード: 111

• 要約等: 世界的に定評のある半導体デバイスの翻訳書。電子デバイスの開発や研究に携わる技術者、研究者、学生に向けた座右の書。（提供元: 出版情報登録センター（JPRO））

目次

1　序章/2　デバイス物理の基礎/3　p-n 接合と金属-シリコン接触/4　MOSキャパシタ/5　長チャネルMOSFET デバイス/6　短チャネルMOSFET/7　SOI MOSFETおよびダブルゲートMOSFET/8　CMOS性能因子/9　バイポーラデバイス/10　バイポーラデバイス設計/11　バイポーラ性能因子/12　メモリデバイス/参考文献/索引