強誘電体不揮発性メモリ設計技術 : 強誘電体メモリ集積回路開発技術教本 (集積回路開発技術教本シリーズ : ICTstudio)

強誘電体不揮発性メモリ設計技術 : 強誘電体メモリ集積回路開発技術教本

(集積回路開発技術教本シリーズ : ICTstudio)

国立国会図書館請求記号: ND386-R35
国立国会図書館書誌ID: 034517350

資料種別: 図書

著者: 西村清

出版者: デザインエッグ

出版年: 2018.6

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: 144 p ; 30 cm

NDC: 548.232

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書誌情報

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紙

資料種別: 図書
ISBN: 978-4-8150-0582-5
タイトル: 強誘電体不揮発性メモリ設計技術 : 強誘電体メモリ集積回路開発技術教本
タイトルよみ: キョウユウデンタイフキハツセイメモリセッケイギジュツ : キョウユウデンタイメモリシュウセキカイロカイハツギジュツキョウホン
著者・編者: 西村清
シリーズタイトル: 集積回路開発技術教本シリーズ : ICTstudio
著者標目: 著者：西村, 清, pub. 2018 ニシムラ, キヨシ, pub. 2018 ( 034565535 )典拠
出版事項: [東大阪] : デザインエッグ (出版)
出版年月日等: 2018.6
出版年（W3CDTF）: 2018
数量: 144 p
大きさ: 30 cm
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
表現種別: テキスト
機器種別: 機器不用
キャリア種別: 冊子
件名標目: 半導体記憶装置--設計ハンドウタイキオクソウチセッケイ ( 034558775 )典拠
強誘電体キョウユウデンタイ ( 00567301 )典拠
NDC10版: 548.232 : 情報工学
NDLC: ND386
対象利用者: 一般
書誌注記: 文献あり
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: ND386-R35
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 034517350
http://id.ndl.go.jp/bib/034517350
全国書誌番号: 24224179
目録規則: 日本目録規則2018年版
整理区分コード: 111