LO-Phonon Scattering and Electrical Bistability in Resonant Tunneling Diodes

• 資料種別: 記事
• タイトル: LO-Phonon Scattering and Electrical Bistability in Resonant Tunneling Diodes
• 著者・編者: WAGNER,Mathias
• 出版事項: 日本 : Japanese Journal of Applied Physics
• 出版年月日等: 1993-05-31
• 出版年（W3CDTF）: 1993-05-31
• タイトル（掲載誌）: JJAP series
• 巻号年月日等（掲載誌）: 9
• 掲載巻: 9
• 掲載ページ: 114-117
• 本文の言語コード: ENG
• 件名標目: Electrical Bistability; resonant tunneling; LO-phonon scattering; triple-barrier diode
• 一般注記: 著者所属: Hitachi Cambridge Laboratory, Hitachi Europe Limited
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10472713; https://dl.ndl.go.jp/pid/10472713
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-23
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10389314; https://dl.ndl.go.jp/pid/10389314
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: Electrical inverted bistability of a triple-barrier resonant tunneling diode (RTD) is self-consistently analysed in the coherent tunneling regime. It ...