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非極性InGaN量子井戸発光デバイスの特性向上に関する研究

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非極性InGaN量子井戸発光デバイスの特性向上に関する研究

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/11116105
資料種別
博士論文
著者
坂井, 繁太
出版者
-
出版年
2018-03-12
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
授与大学名・学位
金沢工業大学,博士(工学)
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type:学位論文;Thesis or Dissertation本論文では、格子歪みに伴うバンドエネルギーのシフト量を決定する、変形ポテンシャルを決定する新手法を考案し、実際にInGaNの変形ポテンシャルを決定した。そして、決定した変形ポテンシャルを使用して非極性InGaN量子井戸レーザの素子特性を...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
坂井, 繁太
著者標目
出版年月日等
2018-03-12
出版年(W3CDTF)
2018-03-12
並列タイトル等
ヒキョクセイ InGaN リョウシ イド ハッコウ デバイス ノ トクセイ コウジョウ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
金沢工業大学
授与年月日
2018-03-12
授与年月日(W3CDTF)
2018-03-12