Electronic properties of doped topological insulators (BiMn)2Te3 by means of bulk sensitive hard x-ray photoemission
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- J. FujiiG. PanaccioneS. Ueda
- 出版年月日等
- 2019-01-25
- 出版年(W3CDTF)
- 2019-01-25
- タイトル(掲載誌)
- SPring-8/SACLA利用研究成果集
- 巻号年月日等(掲載誌)
- 7(1)
- 掲載巻
- 7(1)
- ISSN(掲載誌)
- 2187-6886
- ISSN-L(掲載誌)
- 2187-6886
- 本文の言語コード
- eng
- DOI
- 10.18957/rr.7.1.5
- 国立国会図書館永続的識別子
- info:ndljp/pid/11375437
- コレクション(共通)
- コレクション(障害者向け資料:レベル1)
- コレクション(個別)
- 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他
- 収集根拠
- オンライン資料収集制度
- 受理日(W3CDTF)
- 2019-10-18T21:40:27+09:00
- 保存日(W3CDTF)
- 2019-03-22
- 記録形式(IMT)
- application/pdf
- オンライン閲覧公開範囲
- 国立国会図書館内限定公開
- デジタル化資料送信
- 図書館・個人送信対象外
- 遠隔複写可否(NDL)
- 可
- 掲載誌(国立国会図書館永続的識別子)
- info:ndljp/pid/11375435
- 連携機関・データベース
- 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション
- 要約等
- The influence of magnetic dopants on the electronic structures of topological insulators (TIs) is a key factor for magnetic TIs-based spintronic application. Here we measured core level and valence band hard x-ray photoemission (HAXPES) spectra for (BiMn)<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> single crystals as a function of Mn doping to investigate the modification of the bulk band structures of Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> by the dopants.
- DOI
- 10.18957/rr.7.1.5
- オンライン閲覧公開範囲
- インターネット公開
- 連携機関・データベース
- 科学技術振興機構 : J-STAGE
- 要約等
- The influence of magnetic dopants on the electronic structures of topological insulators (TIs) is a key factor for magnetic TIs-based spintronic application. Here we measured core level and valence band hard x-ray photoemission (HAXPES) spectra for (BiMn)<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> single crystals as a function of Mn doping to investigate the modification of the bulk band structures of Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> by the dopants.
- DOI
- 10.18957/rr.7.1.5
- 連携機関・データベース
- 国立情報学研究所 : CiNii Research
- 提供元機関・データベース
- Japan Link Center雑誌記事索引データベースCiNii Articles
- 書誌ID(NDLBibID)
- 11375437
- NII論文ID
- 130007969577