高電子移動度トランジスタHEMTの発明と情報通信分野への貢献

• 資料種別: 記事
• タイトル: 高電子移動度トランジスタHEMTの発明と情報通信分野への貢献
• 著者・編者: 三村高志
• 出版事項: 日本 : 富士通
• 出版年月日等: 2018-09
• 出版年（W3CDTF）: 2018-09
• 並列タイトル等: Invention of high electron mobility transistor (HEMT) and contributions to information and communications field
• タイトル（掲載誌）: Fujitsu
• 巻号年月日等（掲載誌）: 69(5)
• 掲載巻: 69(5)
• 本文の言語コード: jpn
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11451988; https://dl.ndl.go.jp/pid/11451988
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > その他; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00035
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2020-02-18T16:41:32+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2019-02-16
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/11242072/www.fujitsu.com/jp/about/resources/publications/magazine/backnumber/vol69-5.html
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11451986; https://dl.ndl.go.jp/pid/11451986
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp