GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 : 市場規模と省エネルギー効果 vol. 3(低炭素社会の実現に向けた技術および経済・社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書 Proposal paper for policy making and governmental action toward low carbon societies 技術開発編)

• 資料種別: 電子書籍・電子雑誌
• タイトル: GaN系半導体デバイスの技術開発課題とその新しい応用の展望 : 市場規模と省エネルギー効果
• 巻次・部編番号: vol. 3
• 著者・編者: 科学技術振興機構低炭素社会戦略センター
• シリーズタイトル: 低炭素社会の実現に向けた技術および経済・社会の定量的シナリオに基づくイノベーション政策立案のための提案書 Proposal paper for policy making and governmental action toward low carbon societies 技術開発編
• 出版事項: 日本 : 科学技術振興機構
• 出版年月日等: 2019-02
• 出版年（W3CDTF）: 2019-02
• 並列タイトル等: Technological issues and future prospects of GaN and related semiconductor devices : market size and energy saving effect
• 本文の言語コード: jpn
• 一般注記: LCS-FY2018-PP-14
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/11546566; https://dl.ndl.go.jp/pid/11546566
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00033
• 収集根拠: インターネット資料収集保存事業（WARP）
• 受理日（W3CDTF）: 2020-09-28T10:50:35+09:00
• 保存日（W3CDTF）: 2019-10-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（URI）: https://warp.da.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/11376099/www.jst.go.jp/lcs/proposals/search.html
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

本文

概要資料