巻号(48)
電気的特性によるIn...

電気的特性によるInGa/4H-SiC接触界面に関する研究

記事を表すアイコン
表紙は所蔵館によって異なることがあります ヘルプページへのリンク

電気的特性によるInGa/4H-SiC接触界面に関する研究

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/12974317
資料種別
記事
著者
進藤怜史ほか
出版者
国立高等専門学校機構秋田工業高等専門学校
出版年
2013-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
秋田工業高等専門学校研究紀要 (48)
掲載ページ
-
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
進藤怜史
佐久間涼
宇瀬尚平
出版年月日等
2013-02
出版年(W3CDTF)
2013-02
並列タイトル等
Interface properties of InGa/4H-SiC contacts by electrical measurements
タイトル(掲載誌)
秋田工業高等専門学校研究紀要
巻号年月日等(掲載誌)
(48)
掲載巻
(48)