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巻号(33)
Ag-SiO-Bi₂...

Ag-SiO-Bi₂Sr₂CaCu₂O₈₊δ積層型トンネル接合におけるゼロバイアスコンダクタンスピークのブロードニングの起源 : 回路理論による拡散的常伝導体の影響の検証

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Ag-SiO-Bi₂Sr₂CaCu₂O₈₊δ積層型トンネル接合におけるゼロバイアスコンダクタンスピークのブロードニングの起源 : 回路理論による拡散的常伝導体の影響の検証

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/12987095
資料種別
記事
著者
重田出ほか
出版者
国立高等専門学校機構熊本高等専門学校
出版年
2006-11
資料形態
デジタル
掲載誌名
熊本電波工業高等専門学校研究紀要 (33)
掲載ページ
-
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
重田出
田仲由喜夫
市川聡夫
出版年月日等
2006-11
出版年(W3CDTF)
2006-11
並列タイトル等
Broadening origins of zero-bias conductance peak in Ag-SiO-Bi₂Sr₂CaCu₂O₈₊δ planar tunnel junctions : influence of diffusive normal metal verified with the circuit theory
タイトル(掲載誌)
熊本電波工業高等専門学校研究紀要
巻号年月日等(掲載誌)
(33)
掲載巻
(33)
本文の言語コード
jpn
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/12987095
コレクション(共通)
コレクション(障害者向け資料:レベル1)
コレクション(個別)
国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 独立行政法人
収集根拠
インターネット資料収集保存事業(WARP)
受理日(W3CDTF)
2023-09-08T11:50:09+09:00
保存日(W3CDTF)
2013-07-06
記録形式(IMT)
application/pdf
オンライン閲覧公開範囲
国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信
図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否(NDL)
不可
利用に関する注記
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掲載誌(国立国会図書館永続的識別子)
info:ndljp/pid/12987093
連携機関・データベース
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