窒化物系半導体素子における電流及び光の様態の解明及び素子特性に与える影響に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 窒化物系半導体素子における電流及び光の様態の解明及び素子特性に与える影響に関する研究
• 著者・編者: 林, 賢太郎
• 著者標目: 林, 賢太郎
• 出版年月日等: 2023-09-15
• 出版年（W3CDTF）: 2023-09-15
• 並列タイトル等: Study on the electrical and light emission properties of nitride-based semiconductor devices
• 授与機関名: 法政大学 (Hosei University)
• 授与年月日: 2023-09-15
• 授与年月日（W3CDTF）: 2023-09-15
• 報告番号: 乙第256号
• 学位: 博士(工学)
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: GaN; p-n接合ダイオード; JBS; VCSEL
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: type:Thesis
• DOI: 10.15002/00030036; https://doi.org/10.15002/00030036
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/13342481; https://dl.ndl.go.jp/pid/13342481
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2024-03-01T22:05:19+09:00
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: https://doi.org/10.15002/00030036; http://hdl.handle.net/10114/00030036
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp