MOCVD法によるサファイア基板上への2段階GaN成長における初期成長過程に関する研究
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p3
第1章 序論
p1
1.1 発光デバイス
p1
1.2 III-V族窒化物半導体
p3
1.3 低温バッファ層
p9
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- MOCVDホウ ニ ヨル サファイア キバン ジョウ エ ノ 2 ダンカイ GaN セイチョウ ニ オケル ショキ セイチョウ カテイ ニ カンスル ケンキュウ
- 著者・編者
- 伊藤孝浩 [著]
- 著者標目
- 伊藤, 孝浩 イトウ, タカヒロ
- 数量
- 冊
- 授与機関名
- 静岡大学
- 授与年月日
- 平成11年3月24日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第184号