Growth and characterization of hot-wall epitaxial GaN and InGaN films

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Growth and characterization of hot-wall epitaxial GaN and InGaN films
• 著者・編者: 楚樹成 [著]
• 著者標目: 楚, 樹成 ソ, ジュセイ
• 数量: 冊
• 並列タイトル等: ホットウォールエピタキシー法によるGaN及びInGaNの成長と物性評価 ホットウォール エピタキシーホウ ニ ヨル GaN オヨビ InGaN ノ セイチョウ ト ブッセイ ヒョウカ
• 授与機関名: 静岡大学
• 授与年月日: 平成11年9月27日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1999
• 報告番号: 甲第208号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 著者別名: Chu, Shuscheng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-99-Z436
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000347327; http://id.ndl.go.jp/bib/000000347327
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

Abstract

Chapter 1 Introduction

Reference

Chapter 2 GaN films grown by use of metallic Ga and TMG sources